Spannungswandler

Fraunhofer IAF

GaN-auf-Si-Halbbrücke für 600 V in Platine integriert

Forscher des Fraunhofer IAF haben ihre monolithisch integrierten GaN-Power-ICs mittels Leiterplatten-Embedding als Halbbrückenschaltung inklusive Anschlüsse für Gate-Treiber- und Zwischenkreiskondensatoren integriert. Diese lässt sich modular für viele leistungselektronische Schaltungen einsetzen.

TDK-Lambda startet DC/DC-Initiative

Viel Luft nach oben

TDK-Lambda ist in Europa für seine Netzteil-Lösungen für die Industrie bekannt. In...

Open Frame AC/DC Spannungsversorgungen

Recom bringt neue Serie mit 60 W

RECOM erweitert seine Open Frame AC/DC Spannungsversorgungen um die 60W RACM60-K-Serie....

PoL-KONVERTER

Maximale Power im μ-Bereich

Für die Stromversorgung leistungshungriger Anwendungen ist das richtige PoL-Design...

Icergi / Multilevel-Wandler

Totem-Pole-PFC mit billigen Silizium-MOSFETs

Der Brückengleichrichter am Eingang von Netzteilen ist vielen Entwicklern ein Dorn im...

Stromversorgung für HF-Schaltkreise

Schaltregler mit doppelter Regelschleife schwingt nicht mehr

HF-Schaltkreise benötigen eine sehr saubere Versorgungsspannung. Daher sind...

Netzteil-Plattform ZeroCabinet

PULS wagt den Schritt raus aus dem Schaltschrank

In der Industrie wächst der Wunsch, Anlagen modular aufzubauen. Dem steht der zentrale...

Traco Power

Rechnet sich GaN bei einer Totem-Pole-PFC?

GaN-Transistoren machen Stromversorgungen effizienter und kleiner. In einer...

Gleiche Größe, doppelte Leistung

AC/DC-Netzteile laden schneller mit Active-Clamp-Flyback-ICs

Adaptive Hochfrequenz-Sperrregler mit spannungslosem Schalten und aktiver Begrenzung...

Mitsubishi Electric

Bidirektionaler 100-kW-Wandler in unter einem Liter

Einen 100 kW starken DC-DC-Wandler mit einer Leistungsdichte von 136 kW pro Liter hat...