IGBTs und MOSFETs im Überblick

 SiC-MOSFET: Für Temperaturen bis 200 °C
Der erste SiC-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics läuft unter der Bezeichnung SCT30N120. Der Baustein mit 1200 V Sperrspannung wird im proprietären HiP247-Gehäuse angeboten. Eine geringe Abschaltenergie und Gate-Ladung sorgen für ein besseres Schaltverhalten. Der Einschaltwiderstand liegt bei einer Temperatur von 25 °C bei 80 mΩ. Über den gesamten Temperaturbereich bis 200 °C wird laut STMicroelectronics der Grenzwert von 100 mΩ nicht überschritten. Der Leckstrom liegt unter 1 µA (typ.). Wie auch andere SiC-Transistoren am Markt integriert der SCT30N120 eine Body-Diode und macht somit eine externe Freilauf-Diode überflüssig.
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