IGBTs und MOSFETs im Überblick

 600-V-MOSFET: Super-Junction-MOSFET für Schaltnetzteile
Die schnell schaltenden Super-Junction-MOSFETs der DTMOS-IV-H-Serie von Toshiba zielen u.a. auf Anwendungen wie Schaltnetzteile für Server und Telekommunikations-Basisstationen. Die 600-V-MOSFETs mit den Bezeichnungen TK31N60X, TK39N60X und TK62N60X bilden die mittlerweile vierte Generation der DTMOS-IV-Reihe und werden im Single-Epitaxie-Prozess gefertigt. Sie bieten ein schnelles Schalten bei niedrigem Durchlasswiderstand. Die parasitäre Kapazität zwischen Gate und Drain Ciss liegt typ. zwischen 3000 und 6500 pF. Im Vergleich zu den herkömmlichen DTMOS-IV-MOSFETs verringert nun eine optimierte Gate-Struktur die Gate-Drain-Ladung Q_g um 45 Prozent auf Werte zwischen typ. 65 und 135 C. Der maximale R_DS(on) bei einer U_GS von 10 V reicht von 88 bis 40 mΩ. Der Drainstrom ID reicht von 30,8 bis 61,8 A.
Geliefert werden die neuen Bausteine im Moment im TO-247-Gehäuse, demnächst folgen Gehäusevarianten wie 8 × 8 mm² DFN, TO-220 und TO-220SIS.
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