IGBTs und MOSFETs im Überblick

 1400-V-IGBT: Für Induktionserwärmung geeignet
Einen robusten und schnellen 1400-V-IGBT bringt International Rectifier auf den Markt. Der IRG7PK35UD1PbF wurde zusammen mit einer Diode mit niedriger Durchlassspannung in einem Gehäuse untergebracht. Gefertigt wurde der Baustein mit IRs Gen7-Dünnwafer-Trench-Technologie, durch die laut Unternehmen geringste Leitungs- und Schaltverluste und ein höherer Systemwirkungsgrad geboten werden. Zu den Eigenschaften zählen: I_(NOM) = 20 A; U_CE(ON) = 2,0 V; R_θJC = 0,75 °C/W.
International Rectifier