IGBTs und MOSFETs im Überblick

 P-Kanal-MOSFET: Leistungs-MOSFET im SOT363-Gehäuse
Hy-Line hat einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOFET im SOT363-Gehäuse von Apec im Angebot. Der Baustein mit der Bezeichnung AP2325GEU6-HF-3 ist für Anwendungen wie kompakte Lastschalter geeignet. Zu seinen Merkmalen zählen eine Drain-Source-Sperrspannung von –20 V, ein maximaler spezifischer Einschaltwiderstand von 145 mΩ sowie ein maximaler Dauer-Drain-Strom ID von 1,6 A bei 25 °C.
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