IGBTs und MOSFETs im Überblick

 60-V-MOSFET: Weltweit kleinster N-Kanal-MOSFET Diodes Incorporated hat laut eigenen Angaben den weltweit kleinsten N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 60 V Sperrspannung auf den Markt gebracht. Der Einschaltwiderstand liegt typ. bei 74 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 4 V. Der Baustein mit der Bezeichnung DMN6070SFCL ist in einem 1,6 × 1,6 × 0,5 mm³ großen DFN1616-Gehäuse untergebracht und zielt auf platzkritische Anwendungen, darunter Mobiltelefone und ultradünne LC-Displays. Auch gegenüber Stromspitzen bis 10 A ist der 2-A-MOSFET unempfindlich.
Der DMN6070SFCL ist der erste Vertreter aus einer neu angekündigten Serie von 60-V-N- und P-Kanal-Bausteinen u.a. für DC/DC-Wandler. Neben dem bereits genannten Gehäuse stehen vier weitere, größere Gehäuse zur Auswahl: SO8, SOT23, SOT223 und TO252. Bei einer Stückzahl von 10.000 kostet der MOSFET 0,15 Dollar.