IGBTs und MOSFETs im Überblick

 Leistungs-MOSFET: RoHS-konform und halogenfrei
Die N-Kanal-MOSFETs AP99T03GS-HF-3 von Advanced Power Electronics werden für industrielle und kommerzielle Anwendungen im TO-263-Gehäuse geliefert. Für Niederspannungs-Applikationen wie DC/DC-Wandler oder Anwendungen mit wenig Leiterplattenplatz bietet der taiwanische Hersteller die N-Kanal-MOSFETs unter der Bezeichnung AP99T03GS-GP-3 auch im TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrungen an. Beide Varianten bieten eine Einschaltwiderstand von 2,5 mΩ, eine Sperrspannung von 30 V und einen Drainstrom von 120 A. Die Bausteine sind halogenfrei und RoHS-konform.
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