Power

Fraunhofer IAF

GaN-auf-Si-Halbbrücke für 600 V in Platine integriert

Forscher des Fraunhofer IAF haben ihre monolithisch integrierten GaN-Power-ICs mittels Leiterplatten-Embedding als Halbbrückenschaltung inklusive Anschlüsse für Gate-Treiber- und Zwischenkreiskondensatoren integriert. Diese lässt sich modular für viele leistungselektronische Schaltungen einsetzen.

Interview mit Prof. Leo Lorenz

Bei der PCIM rücken Batterien in den Fokus

Auch wenn dieses Jahr die PCIM Europe nur als Online-Event stattfindet, wollen wir...

Früherkennung von Herzfehlern

Amagnetischer Lithium-Polymer-Akku für MRT-Einsatz

Elektronische Komponenten und Systeme, die in einem MRT zum Einsatz kommen, müssen vor...

Anbieter von Labornetzteilen

Hoffen auf den Erfolg der Konjunkturprogramme

Regionale Lockdowns, Produktionsstillstände, gehemmte Entscheidungsprozesse durch...

Autonomes Fahren

Sichere Stromversorgung für fahrerlose Shuttlebusse

Im Forschungsprojekts 3F, Fahrerlose und Fehlertolerante Fahrzeugsysteme, wird ein...

DC-Netzteile für Elektromobilität

Weniger Verlustwärme und Platz mit Lade- und Entlade-Funktion

Zwei neue regenerative Stromversorgungen für 20 kW und bis zu 2.000 V sollen...

Netto-Stromerzeugung

Neuer Rekord - Aus der Steckdose kommen 55 % Ökostrom

Das Fraunhofer-Institut ISE hat Daten zur öffentlichen Nettostromerzeugung für das...

TDK-Lambda startet DC/DC-Initiative

Viel Luft nach oben

TDK-Lambda ist in Europa für seine Netzteil-Lösungen für die Industrie bekannt. In...

KIT

Lithium aus Deutschland - ein Schritt in Richtung Unabhängigkeit

Lithium-Ionen-Akkus kommen überall zum Einsatz, jedes Jahr werden dafür Millionen...

„GreenPack“-Akkusysteme von Ansmann

Akku-Power für den Warenverkehr auf den letzten Kilometern

Nachdem Ansmann in der Vergangenheit bereits mit GreenPack mobile energy solutions in...