Systemdesign für SiC-JFET-Module

Bild 2. Einschaltvorgang des unteren JFET mit Vorstrom in der induktiven Last bei UCC = 900 V, ID = 400 A, RG = 0 Ω und TJ = 25 °C. Der Stromverlauf ID zeigt zu Beginn eine hohe Stromspitze über die Höhe des Vorstromes von 400 A hinaus.