Systemdesign für SiC-JFET-Module

Bild 1. Schaltzeichen und Ausgangskennlinie des SiC-JFET bei UGS = 0 V in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung und die der internen pn-Diode bei UGS = –19 V (TJ = 25 °C und 125 °C).