Power Management

Power Integrations

InnoSwitch3 nun auch mit Siliziumkarbid verfügbar

Nachdem Power Integrations seine InnoSwitch3-Serie vor zwei Jahren mit Galliumnitrid-Transistoren (GaN) hochgerüstet hat, präsentiert das Unternehmen nun zwei Bausteine mit 1700-V-Transistoren aus Siliziumkarbid (SiC). Zielapplikation sind…

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich nicht…

Navitas Semiconductor

GaNFast-ICs nun auch für bis zu 20 kW

Muster ihrer GaNFast-ICs für Leistungen von 2 kW bis 20 kW stellt Navitas nun zur…

Gate-Treiber von Infineon

EiceDRIVER speziell für GaN-HEMTs mit Schottky-Gate

Um die Performance ihrer CoolGaN-Leistungstransistoren in Systemlösungen zu verbessern,…

Batterielaufzeit verlängern

Geringster Ruhestrom, höchster Wirkungsgrad

Laut Unternehmensangabe weisen die Module MAXM38643 und MAXM17225 von Analog Devices im…

Navitas Semiconductor

Neue Generation von GaN-Power-ICs mit GaNSense-Technologie

Marktführer Navitas hat seine dritte Generation an GaNFast-Power-ICs vorgestellt. Neu ist…

Advertorial

Rugged Computing: Robuste VPX-Netzteile

Speziell für Märkte mit hohen Leistungsanforderungen entwickelt und vertreibt Rugged…

Infineon

Hochintegrierte Lösung für vereinheitlichte USB-Typ-C-Ladegeräte

Kürzlich hat die Europäische Kommission in der überarbeiteten Funkgeräterichtlinie…

Marktanalyse von TrendForce

Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron

GaN-Leistungsbausteine sind nach Einschätzung der Marktforscher von TrendForce die am…

Powermanagement-ICs

High-Side-Schalter schützen

High-Side-Schalter von Aktuatoren im industriellen Einsatz unterliegen anspruchsvollen…