STMicroelectronics/Metalenz

Neues Lizenzabkommen rund um Metaoberflächen

14. Juli 2025, 08:06 Uhr | Iris Stroh
Das neue Lizenzabkommen ermöglicht den verbreiteten Einsatz von Metasurface-Optiken
© STMicroelectronics

STMicroelectronics und Metalenz, Spezialist für Metaoberflächen-Optiken, haben ein neues Lizenzabkommen unterzeichnet. Damit kann ST die Metalenz-Technologie auf seiner eigenen 300-mm-Plattform nutzen, die Halbleiter- und Optikfertigung samt Test und Qualifizierung vereint.

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Rob Devlin, Mitgründer und CEO von Metalenz, fügt hinzu: »Indem er dafür sorgt, dass die Optikproduktion auf die Halbleiterfertigung verlagert werden kann, eröffnet unser Vertrag die Möglichkeit, die Rahmenbedingungen auf dem Sensing-Sektor weiter umzugestalten. Während die Anwendungsfälle für das 3D-Sensing an Umfang zunehmen, untermauert die Technologieführerschaft von ST auf dem Markt zusammen mit unserer IP-Spitzenstellung die Position von ST und Metalenz als dominierende Kräfte auf dem von uns selbst geschaffenen, aufstrebenden Metasurface-Markt.«

Ziel des neuen Lizenzabkommens ist es, den wachsenden Markt für Metaoberflächen-Optiken ins Visier zu nehmen, dem bis 2029 ein steiles Wachstum auf 2 Mrd. US-Dollar prognostiziert wird (laut dem Optical-Metasurfaces-Report der Yole Group aus dem Jahr 2024).

Hintergrund

Die Metasurface-Technologie von Metalenz, einer Ausgründung der Harvard University, die die exklusiven Lizenzrechte für das grundlegende Metasurface-Patentportfolio der Universität besitzt, kam 2022 erstmals mit den marktführenden FlightSense-Modulen von ST in dToF-Technik (direct Time-of-Flight) auf den Markt.

Der Ersatz der traditionellen Linsengruppen durch Metasurface-Optiken hat die optische Leistungsfähigkeit und Temperaturstabilität der f+-Module verbessert und gleichzeitig ihre Größe und Komplexität verringert.

Die Verwendung von 300-mm-Wafern garantiert ein hohes Präzisions- und Performance-Niveau in optischen Anwendungen und profitiert von dem Skalierbarkeits- und Robustheitsvorteil, der kennzeichnend für Halbleiter-Fertigungsprozesse ist.

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