Kostengünstigeres Substrat
GaN-LED auf Silizium
8. April 2013, 17:12 Uhr |
Manne Kreuzer
Plessey hat erste Muster von Galliumnitrid-LEDs auf Siliziumträgern entwickelt und will diese Entry-Level-Produkte weltweit als erste auf den Markt bringen.
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Plessey erwartet mit diesem Ansatz eine kürzere Prozesszeit sowie eine bessere Yield - über 95 Prozent sind angestrebt - erreichen zu können. Zusätzlich ist das Trägermaterial Silizium kostengünstiger als das bislang genutzte Saphir oder Siliziumcarbid.
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