In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton und Kista wird II-VI in den nächsten zehn Jahren eine Milliarde US-Dollar investieren. Bis 2027 soll der Standort Easton pro Jahr das Äquivalent von einer Million 150-mm-Wafern herstellen können.
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