GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen
Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs
Im Vergleich zu klassischen Silizium-Lösungen bestechen GaN-Bauteile außer mit niedrigeren RDS(on)-Werten und einer geringeren Gesamt-Gateladung vor allem durch hohe Drain-Source-Spannung, dem Wegfall der Sperrverzögerungsladung und sehr geringen…
