Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V Sperrspannung eröffnen sich offenbar immer mehr Applikationsmöglichkeiten für GaN.
Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar...
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