Markt & Technik

Rohm: SiC-MOSFETs der vierten Generation

2-in-1-SiC-Module für kompakte xEV-Wechselrichter

Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) gewinnen bei der Entwicklung elektrischer Antriebssysteme immer mehr an Bedeutung. Bisher war es jedoch schwierig, geringe Verluste bei kleiner Baugröße zu erreichen. Rohm stellt sich dieser Herausforderung mit seinem TRCDRIVE pack.

DAT

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