Für extreme thermische Bedingungen
Robuste Leistungselektronik mit SiC
Hohe Leistungsdichten führen zu hohen Betriebstemperaturen, aber was bedeutet das für SiC-MOSFETs in Bezug auf kritische Parameter wie VGS(th), RDS(on), IDSS oder IGSS? Dieser Artikel liefert Empfehlungen zu diesen kritischen Parametern bei…