NXP Semiconductors hat mit dem BLC7G22L8(S)-130 Power Transistor die Leistungsdichte und -effizienz gesteigert und ihn für Doherty-Verstärker-Anwendungen optimiert. Der Transistor ist der erste in NXPs LDMOS-Technik der siebten Generation und laut…
Infineon präsentiert eine neue 3G-Chip-Familie für hochleistungsfähige HSPA-Modems,…
Infineon präsentiert eine DECT-Lösung, kombiniert mit einem DOCSIS-3.0-Chipsatz, mit der…
Der spanische Powerline-Spezialist DS2 bietet unter der Bezeichnung »DE21P Embedded…
Der Markt der »Wireless«-Halbleiter hat im Jahr 2007 weltweit sein Volumen auf 29,5…
Handys werden auch in der HF-Stufe immer komplizierter, weil sie auf verschiedenen…
Siemens-Forschern ist es erstmals gelungen, Daten von bis zu 100 Megabit pro Sekunde…
Fahrgäste können jetzt im Hochgeschwindigkeitszug Thalys während der Fahrt im Internet…
Tyco Electronics verkauft für 425 Millionen Euro einen Großteil seiner HF-Sparte an den…
Seit August 2006 hat statistisch jeder Deutsche mehr als eine Mobilfunk-Nummer.…
