Halbleiter

© EPC

48-12 V Stromversorgung in Rechenzentren

GaN spielt alle Vorteile für PoL-Wandler aus

Point-of-Load-Wandler in Rechenzentren wandeln 48 V-Nennspannung für 12 V-Busse um. GaN-FETs bringen auf kleinstem Raum eine sehr hohe Leistungsdichte und verlustarme Wandlung. Von EPC und Microchip gibt es nun ein Referenzdesign für einen…

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© Messe München

Positives Signal im Markt

Die Elektronikbranche trifft sich auf der electronica 2020

Mit der electronica, die vom 10. bis 13. November 2020 stattfindet, setzt die Messe…

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© Toshiba

Toshiba

Die vier wichtigsten Auswahlkriterien für Speichersysteme

Die Online-Datenbestände explodieren, daher kommt es mehr denn je darauf an,…

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© Intel

Prozess-Desaster bei Intel

Hardware-Chef geht, Abteilung wird neu geordnet

Intel zieht personelle Konsequenzen aus der Verzögerung des 7-nm-Prozesses: Die Technology…

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© Infineon/NASA/JPL-Caltech

Mars-Mission Perseverance

Infineon-ICs lassen Mars-Rover arbeiten

Tausende strahlungsgehärtete Komponenten befinden sich im Rover, den die NASA jetzt auf…

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© SprinD

Chef einer neuen Bundesagentur

»Brauchen Made in Germany 2.0«

Deutschland will bei Zukunftstechnologien aufholen. Zu diesem Zweck ist auch eine neue…

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Breitbandmischer für 3 bis 20 GHz

Mischen mit 0 dBm LO-Signal

Dank einer neuen Balun-Schaltung in SiGe lassen sich passive Auf- und Abwärtsmischer mit…

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© Rohm Semiconductor

SiC, GaN und Si in der Elektromobilität

Verdrängung oder Koexistenz?

Werden Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter Silizium-basierte Halbleiter wie IGBTs oder…

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© STMicroelectronics

STMicroelectronics

Protokoll-Stacks und Entwicklungs-Kits für STM32

Die STM32-Mikrocontroller-Familie von STMicroelectronics gehört zum umfangreichsten…

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© Adobe Stock

SAP/Deutsche Telekom

Corona-Warn-App bekommt Update

16 Millionen Nutzer haben die Corona-Warn-App heruntergeladen. Nach Problemen gibt es nun…

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