Halbleiter

Megatrends bei Leistungshalbleitern

»Die Zukunft ist elektrisch und gehört SiC und GaN«

Der Wandel von Silizium zu Siliziumcarbid wird sich im Automobil- und Automotive-Bereich noch schneller vollziehen, als das viele noch vor einem Jahr für möglich hielten.

Spannungsfeld Deutschland China

Ein schwieriger Partner

China arbeitet schon länger an der weltweiten Ausdehnung seiner Einflusssphären. Die...

Ultraschnelle Ladegeräte

Treiber und GaN-Leistungstransistor in einem Modul

Das weltweit erste Modul mit Si-Treiber und GaN-Leistungstransistoren soll Ladegeräte...

electronica 2020 - Die digitale Messe

Zusammenkommen, um gemeinsam voranzukommen

Eine Herausforderung der besonderen Art stellt die Transformation einer Weltleitmesse...

NXP Connects 2020

Positionierung und Lokalisierung im IoT per Ultra Wideband

Auf der NXP Connects 2020 demonstrierte CEO Kurt Sievers die neuen UWB-Chips der...

ZVEI

Deutsche Elektroexporte leiden stärker als -importe

Die deutsche Elektroindustrie befindet sich in der Corona-Krise weiterhin im...

9 Mrd. Dollar

SK Hynix kauft NAND-Flashs von Intel

Für 9 Mrd. Dollar kauft SK Hynix das NAND-Flash-Geschäft von Intel. Die auf der...

Eingänge mit Transimpedanzverstärker

Maximale Dynamik und Auflösung

Sollen Verstärker mit unipolarer Versorgungsspannung betrieben werden, benötigen sie...

Toshiba / Siliziumkarbid

Zweite SiC-MOSFET-Generation

Als ersten Siliziumkarbid-MOSFET, der auf der im Juli 2020 vorgestellten zweiten...

Dr. Peter Friedrichs, Infineon

Wie die Preise für Siliziumkarbid-Wafer schneller sinken

Infineon erweitert sein Portfolio an Siliziumkarbid-Bauelementen sukzessive. Also...