Aktive Bauelemente
5. Dezember 2013, 17 Bilder
Die hochspannungstauglichen N-Kanal-MOSFETs SCT2xx auf Basis von Siliziumkarbid sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C geeignet.Treten bei konventionellen SiC-Leistungs-MOSFETs Zuverlässigkeitsprobleme auf, darunter eine Beeinträchtigung durch das Leiten der Body-Diode (z.B. höherer On-Widerstand) sowie Ausfälle der Gateoxidschicht, ist es Rohm gelungen, diese Probleme zu lösen, indem die Prozesse hinsichtlich der Kristalldefekte und der Bausteinstruktur verbessert wurden.