Elektronik

AMD Ryzen
© Pixabay

Prozessoren für Mobilgeräte

AMD erreicht selbst gestecktes Ziel

2014 gab AMD das Ziel aus, die Energieeffizienz seiner mobilen Prozessoren bis 2020 um das 25-fache zu verbessern. Nun gab der Prozessorhersteller bekannt, das Ziel gar übertroffen zu haben. Ausschlaggebend waren verschiedene Faktoren.

Framos KI Vision
© Framos

Framos tritt NVIDIA-Partner-Netzwerk bei

KI-fähige Edge-Vision-Anwendungen vorantreiben

Framos ist ab sofort Mitglied im Partner-Netzwerk (Preferred Partnership Programm) von...

GaN Power Halbbrückenschaltung
© Fraunhofer IAF

Leistungselektronik-to-go

Modulare, PCB-integrierte GaN-auf-Si-Halbbrückenschaltung

Das Fraunhofer IAF hat monolithisch integrierte GaN-Power-ICs mittels...

Der analoge KI-Chip »AnIA« mit einer Rechenleistung von 2.900 TOPS/W rückt den Einsatz von KI am Edge in greifbare Nähe.
© Imec | Globalfoundries

IMEC und Globalfoundries

Analoger KI-Chip mit außerordentlichen Leistungsdaten

Um aufwändige Datentransfers im Rahmen des »Internets der Dinge« in die »Cloud« zu...

TANK-880-Q370
© CompMall

Industrie-PCs

Für Rugged- und KI-Anwendungen geeignet

Der Embedded-Spezialist CompMall stellt mit dem lüfterlosen Embedded-PC »TANK-880-Q370«...

Erde Weltall
© Vitaly Sosnovskiy

Interview mit Mike Milinkovich

»Die moderne Welt basiert auf offenem Quellcode«

Open-Source-Software wird immer beliebter. Das zeigt sich zum Beispiel an der Anzahl...

KIT Künstliche Intelligenz
© Simon Raffeiner/SCC

Menschheitsprobleme besser lösen

Superschnelles KI-System am KIT installiert

Für einen erfolgreichen Einsatz von Künstlicher Intelligenz wird neben den Algorithmen...

Jugend forscht 2021
© jugend forscht

Nachwuchswettbewerb

Jugend forscht: »Lass Zukunft da!«

Kinder und Jugendliche mit Interesse an Mathematik, Informatik, Naturwissenschaften und...

Fraunhofer IAF, Gallium Nitride, GaN, Half Bridge
© Fraunhofer IAF

Fraunhofer IAF

GaN-auf-Si-Halbbrücke für 600 V in Platine integriert

Forscher des Fraunhofer IAF haben ihre monolithisch integrierten GaN-Power-ICs mittels...

Infineon IGBT
© Infineon

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die...