Elektronik

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des Materials betrifft – ganz anders als solche aus Siliziumkarbid (SiC). Es folgt ein Überblick über die SiC-Technologie und ein Vergleich der heutigen SiC-MOSFETs und Silizium-IGBTs. SiC hat noch viel Luft nach oben.

Neue Generation von Silizium-IGBTs

Kleinere Chips und weniger Verluste

Basierend auf dem AE5-Prozess hat Renesas eine neue Generation von Silizium-IGBTs...

Kapazität von bis zu 64 kWh

Neues Heim-Energiesystem mit Semi-Solid-State-Batterie

Das Start-up Zendure hat ein portables Plug&Play-Energiesystem für Zuhause neu auf den...

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Auch wenn die Nachfrage nach SiC-MOSFETs rasant wächst, bleiben Fragen zu den...

CUI Devices

USB-4-Steckverbinder für 240 W und 40 Gbit/s

Der USB-4-Standard bietet Datenraten bis 40 Gbit/s und Leistungen bis 240 W. Damit...

Fahrzeugkommunikation

Neues Konzept für 5G-V2X und DSRC

Für die Kommunikation zwischen Fahrzeugen werden leistungsfähige Funksysteme in den...

11. Oktober in München

Konferenz Internet of Things

Noch einen Monat bis zur Konferenz »Internet of Things« mit zwanzig Vorträgen und...

Atlas Magnetics

Magnetisches Dünnfilmmaterial für die Integration in IC-Gehäuse

Atlas Magnetics hat ein Dünnfilmmaterial und einen Prozess entwickelt, um magnetische...

Galliumnitrid

Integrierte GaN-Gate-Treiber im Vergleich

GaN-Transistoren sind Silizium-MOSFETs in vielem überlegen – nur nicht in der...

Texas Instruments

Höhere Leistungsdichte dank integrierter GaN-Lösungen

Auch wenn Lösungen mit GaN-Transistoren höhere Leistungsdichten und Wirkungsgrade...