Universität von Tokio
SiC-MOSFETs mit niedrigerer Defektdichte
Ein besonderes Problem bei SiC-MOSFETs sind die vielen Defekte in der Gateoxid-Schicht. Indem es die thermischen Oxidationsbedingungen verändert, hat nun ein Team der Universität Tokio um Koji Kita ein Gateoxid hergestellt, das wesentlich weniger…