Renesas entwickelt Automotive-SRAMs

7. November 2008, 14:21 Uhr | Björn Graunitz, elektroniknet.de

Renesas kündigt SRAM-Speicherbausteine für Automobil-Applikationen an. Die Bemusterung ist für Juni 2009, die Massenproduktion für Juli 2009 geplant. Sie werden als Low-Power-SRAMs mit 4, 16 oder 32 sowie als Fast-SRAMs mit 4 Mbit erhältlich sein.

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Die SRAMs sind speziell für den von Automobilherstellern spezifizierten Temperaturbereich von -40 bis +105°C konzipiert. Um über diese Temperaturspanne hinweg verlässlich zu arbeiten, sind die Speicherbausteine mit einem Leadframe aus Kupfer ausgestattet. Dieser ermöglicht stärkere Lötverbindungen, die im Gegensatz zu traditionellen Legierungen besser dem Wärmeausdehnungs-Koeffizienten von Leiterplatten entsprechen.

Die Speicher in Kürze mit PPAP-Dokumentation (Production Part Approval Process) und gemäß AEC-Q100 zertifiziert verfügbar sein.


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