International Rectifier
Leistungstransistor mit niedrigem Einschaltwiderstand
International Rectifier hat die neuen Leistungs-MOSFETs der Trench-HEXFET-Reihe vorgestellt, die gemäß der Automotive-Norm AEC-Q101 qualifiziert sind und dabei über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand RDS(on) verfügen.
Dieser beträgt lediglich max. 1,25 mOhm bei 40 V, von 2,1 mOhm bei 60 V, 2,6 mOhm bei 75 V sowie 4,0 mOhm bei 100 V. Die Bausteine der Trench-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Familie sind für Spannungen von 40 bis 200 V und in vielfältigen Gehäusen zur Oberflächenmontage (SMD) verfügbar. Dabei gibte es Versionen sowohl mit standardmäßiger Gate-Ansteuerung als auch mit Gate-Ansteuerung auf Logikebene.
Muster der Produkte, die sich für den Einsatz in elektrischen Servolenkungen, Startergeneratoren oder in Motorsteuerungen eignen, sind bereits verfügbar. Spice-Modelle sind auf Anfrage ebenfalls erhältlich.
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