Ausgangs-Charakteristika für Si-basierte Bauelemente der Bilder 5, 6 und 7
12. November 2012, 3 Bilder
Bild 7. Vergleich der Gesamtverluste zwischen IGBT-Modul (mit Si-Diode), SiC-JFET-Modul und IGBT-Modul mit SiC-Diode (Tj = 125 °C, Udc = 600 V, Irms = 21,2 A, Cos(φ) = 0,8).
