Prof. Tomás Palacios, Massachusetts Institute of Technology (MIT)
20. Januar 2020, 04:33 Min
Alle kommerziell verfügbaren Galliumnitrid-Transistoren sind in der lateralen HEMT-Struktur aufgebaut. Vertikale GaN-Transistoren, wie es bei Silizium und Siliziumkarbid normal ist, sind aufgrund der hohen Substratkosten nicht wirtschaftlich. Doch der MIT-Professor Tomás Palacios ist fest davon überzeugt, dass vertikale GaN-Transistoren auch mit einem Siliziumsubstrat möglich sind.