Prof. Tomás Palacios, Massachusetts Institute of Technology (MIT)
20. Januar 2020, 04:33 Min
Alle kommerziell verfügbaren Galliumnitrid-Transistoren sind in der lateralen HEMT-Struktur aufgebaut. Vertikale GaN-Transistoren, wie es bei Silizium und Siliziumkarbid normal ist, sind aufgrund der hohen Substratkosten nicht wirtschaftlich. Doch der MIT-Professor Tomás Palacios ist fest davon überzeugt, dass vertikale GaN-Transistoren auch mit einem Siliziumsubstrat möglich sind.
Neueste Videos
800-V und SiC, bidirektionales 650-V-GaN und SuperQ-Technologie?
Zölle, Lieferkette und Fertigung in den USA?
Geschäftsverlauf 2025, aktuelle Marktsituation und Erwartungen für 2026?
Power-Talk Batterien&Akkus Teil 3: Gibt es doch noch eine Chance für das Batteriewerk nahe Heide?
Power-Talk Batterien&Akkus Teil 2: Lässt sich die 18650-Zelle noch weiter optimieren?