Produkt

Nichtflüchtige Speicher

Durchbruch für MRAMs?

SOT-MRAMS ersetzen Cache-Speicher

Durchbruch im Bereich nichtflüchtiger Speicher-ICs wollen ein Team der Johannes-Gutenberg-Universität Mainz und der französischen Antaios erreicht haben: Ein neuer Typ von MRAMs könnte Cache-Speicher ersetzen.

Schwache Nachfrage hält an

NAND-Flash-Hersteller reduzieren Produktion

Schwache Nachfrage und weiterhin Überangebot – unter diesem Druck stehen die Hersteller…

Nichtflüchtigen Speicher

Onsemi setzt auf ReRAM-Speicher von Weebit

Weebit Nano hat seine Resistive Random Access Memory (ReRAM)-Technologie an Onsemi…

CMOS-Bonded-Array-NAND-ICs

Kioxia geht mit BiCMOS8 in die Stückzahlproduktionn

Kioxia nimmt die Volumenproduktion ihrer neusten NAND-Flash-Speicher-Generation »BiCS8«…

Nach enttäuschendem Quartal

Samsung sucht neue Strategie - es könnten Köpfe rollen

Dass Samsung Electronics im Speichergeschäft deutlich zurückgefallen ist, insbesondere im…

Alliance Memory

New DDR4, LPDDR4X SDRAMs, and High-Density Serial NOR

Alliance Memory will highlight its new DDR4 and LPDDR4X SDRAMs, as well as high-density…

Kioxia

512-GB-QLC-UFS gehen in Massenfertigung

Kioxia hat die Massenproduktion der branchenweit ersten…

Intelligent Memory

64-GB-DDR4-Module x4-Komonenten

Intelligent Memory (IM) stellt neue DDR4-Komponenten mit x4-Datenbreite vor und erweitert…

STMicroelectronics

EEPROM-Flash-Kombispeicher für Edge-KI-Systeme

Das Page EEPROM von STMicroelectronics kombiniert die Energieeffizienz und Langlebigkeit…

In-Circuit-Programmiergeräte

Der »Flasher Deployer« von Segger hilft beim Setup seiner Flasher

Die Flasher von Segger werden unter anderem zur Programmierung von nicht-flüchtigen…