Powermanagement-ICs

Mit Multi-Level-Wandlern schneller und effizienter laden

15. September 2021, 10:30 Uhr | Jeff Falin und Alvaro Aguilar, Texas Instruments, Ralf Higgelke
Texas Instruments
© iEsrcharger / Pixabay

Jedes portable Gerät benötigt eine Ladeschaltung. Diese muss zum einen schnell laden können, zum anderen aber auch wenig Verlustwärme erzeugen. Ein 3-Level-Abwärtswandler ist da eine Alternative zum traditionellen 2-Level-Abwärtswandler.

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Fortsetzung des Artikels von Teil 2

Vergleich der Ladelösungen

Als neueste 3-Level-Ladeschaltung für eine Lithium-Ionen-Zelle bietet Texas Instruments (TI) den Baustein an, der bei einer Schaltfrequenz fSW von 750 kHz einen Ladestrom von 5 A liefern kann. Die für 4 A ausgelegte 2-Level-Ladeschaltung von TI besitzt ein ähnliches Chip-Scale-Gehäuse, basiert aber auf einer älteren Prozesstechnologie, arbeitet mit 1,5 MHz und benötigt eine Spule mit 1 µH, während sich der BQ25910 mit nur 470 µH begnügt. Dies entspricht einer Halbierung des Induktivitätswerts und bleibt somit sogar hinter der potenziellen Reduzierung auf ein Viertel zurück, die mit der 3-Level-Topologie eigentlich möglich wäre.

Tabelle 2 vergleicht den Flächenbedarf beider Ladelösungen inklusive Induktivitäten mit ähnlichen Nennströmen und sinnvollen DCR-Werten. Unberücksichtigt bleiben das Routing sowie all jene Bauteile, die bei beiden Ladeschaltungen identisch sind.

WandlerlösungICInduktivitätCFLYCBATCAUXGesamtflächeDifferenz (%)
BQ25898 (2L)7,017,60,01,30,028,9
BQ25910 (3L)5,95,52,60,516,5–36,3

Tabelle 2: Vergleich des Flächenbedarfs (in mm²) einzelner Bauteile der beiden vorgeschlagenen Ladelösungen.

Texas Instruments, BQ25898, BQ25910
Bild 7: Modellierte Verluste der Ladelösung mit dem BQ25898 (rot) und BQ25910 (cyan).
© Texas Instruments

Ungeachtet der zusätzlichen Bauelemente reduziert sich der Flächenbedarf der Lösung mit dem BQ25910 bei ähnlichem DCR der Spulen und das Fehlen des Batterie-FET um rund 36 %. Bild 7 zeigt die Verluste für den BQ25910 und den BQ25898 auf der Basis von Werten, die aus den Gleichungen aus Tabelle 1 berechnet worden sind. Hervorzuheben ist die Tatsache, dass die DCR-Verluste bei beiden Lösungen den größten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

Texas Instruments, BQ25898, BQ25910

© Texas Instruments
Texas Instruments, BQ25898, BQ25910
Bild 8: Gemessene Werte für Wirkungsgrad und Verlustleistung bei der Ladelösung mit dem BQ25910 (grüne Linie) und BQ25898 (rote Linie). Gut zu zu sehen ist, dass die 3-Level-Lösung stets bessere Werte aufweist als die 2-Level-Lösung.
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Bei einer Eingangsspannung von 9 V, einer Batteriespannung von 3,8 V und einem Ladestrom von 3 A verbessert der 3-Level-Baustein BQ25910 den Wirkungsgrad gegenüber dem 2-Level-Baustein BQ25898 um 3,9 Prozentpunkte, während die Verlustleistung um 36 % sinkt. Anders ausgedrückt: Bei einem Verlustleistungsbudget von 1,5 W kann der BQ25898 einen Ladestrom von 3,2 A liefern, während es im Fall des BQ25910 4,2 A sind. Dies entspricht einem Plus von 31 %, gleichzeitig verringern sich die Abmessungen der Lösung um 36 %.

Fazit

Es bleibt schwierig, mit Ladeschaltungen auf der Basis eines traditionellen 2-Level-Abwärtswandlers auf mehr als 90 % Wirkungsgrad zu kommen, wenn bei Eingangsspannungen von 9 V und darüber mit Strömen von 3 A und mehr geladen werden soll. Dagegen punkten Ladeschaltungen mit 3-Level-Abwärtswandler mit höherem Wirkungsgrad und bieten zusätzlich die Möglichkeit, die Abmessungen der Gesamtlösung zu reduzieren.


  1. Mit Multi-Level-Wandlern schneller und effizienter laden
  2. Chipinterne sowie externe Verluste
  3. Vergleich der Ladelösungen


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