Power

Wide-Bandgap-Materialien

GaN-Bauteile wirtschaftlich fertigen

Lassen sich GaN-Leistungshalbleiter mit Sperrspannungen von 600 V und darüber wegen der schwierigen Epitaxie-Technologie überhaupt wirtschaftlich tragfähig produzieren? Das ist eine der Kernfragen, mit denen sich die Anbieter auseinandersetzen…

Selbstsperrender GaN-Transistor

Echte Alternative zum MOSFET

Bislang vorgestellte GaN-Transistoren hatten einen großen Nachteil: Im Normalzustand sind…

Siemens-Umstrukturierung

Eine Formel für den Neuanfang

Aus drei mach eins - aus sechszehn zehn. Einer muss geh'n - und vier wird keins: das ist…

Alterung und Ladezustand von Li-Ionen-Zellen

Wann ist der Akku alt?

Mit der steigenden Nachfrage nach vor allem großformatigen Lithium-Ionen-Zellen wächst der…

Batteriesystem mit Schwarmintelligenz

Energie aus der Tube

Großbatterien auf Lithiumbasis sind schwer beherrschbar. Fehlende Standards bei…

Online-Tool ezIGBT

IGBTs verschiedener Hersteller online vergleichen

Datenblätter erzählen Entwicklern nicht, was IGBTs bei den spezifischen Bedingungen der…

Energy Harvesting

Integrierte Akkus

Elektronische Kleinstschaltungen stehen in zweierlei Hinsicht unter Druck: zum einen beim…

Entwicklerforum »Batterien&Ladekonzepte« 2014

20 Jahre »Batterieforum«

Seit seiner Premiere vor nunmehr zwanzig Jahren hat sich das Entwicklerforum »Batterien &…

International Rectifier

1.400-V-IGBT für Induktionserwärmung

Einen robusten und schnellen 1.400-V-IGBT bringt International Rectifier auf den Markt.…

P-Kanal-MOSFET

Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im SOT363-Gehäuse

Hy-Line hat einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOFET im SOT363-Gehäuse von APEC im…