Systemdesign für SiC-JFET-Module
28. Oktober 2014, 11 Bilder
Bild 11. Vergleich der Einschaltvorgänge des unteren Schalters bei Vorstrom in der induktiven Last unter Variation der Streuinduktivität im Leistungskreis bei UCC = 800 V, ID = 400 A und TJ = 25 °C. Das dID/dt ist mit 10 kV/µs über die Wahl des Gate-Widerstandes konstant gehalten.