Systemdesign für SiC-JFET-Module

Bild 10. Vergleich der Spannungen am unteren und oberen Schalter und der wirksamen Spannung über dem Modul beim Einschalten des unteren Schalters mit Vorstrom in der induktiven Last bei UCC = 800 V, ID = 400 A, RG = 0 Ω und TJ = 25 °C.