Messeplattform PCIM - Bildergalerie Teil 2
1. Juni 2026, 4 Bilder
Toshiba
Auslieferung von Testmustern
Toshiba dokumentiert auf der PCIM sein Engagement im SiC-Bereich mit der Bekanntgabe der Auslieferung von Testmustern seines neuen 1200-V-SiC-MOSFETs mit Trench-Tate-Struktur für KI-Rechenzentren der nächsten Generation. Ein Oberseitig gekühltes ODPAK-Gehäuse unterstützt dabei eine hohe Leistungsdichte und geringe Leistungsverluste in 800-V-HVDC-Architekturen. Toshiba plant noch im Geschäftsjahr 2026 die Serienfertigung des TW007D120E vorzubereiten und sein Produktportfolio noch weiter auszubauen, unter anderem durch die Entwicklung des MOSFETs für Automobilanwendungen.
Halle 4 A, Stand 227