Neue Produkte zur PCIM Europe 2015
21. April 2015, 22 Bilder
Gleich zwei neue n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Anwendungen wie elektrische Servolenkung, DC/DC-Wandler und Lastschalter hat Toshiba Electronics (Halle 9, Stand 301) im Angebot. Die Bausteine »TK160F10N1« (100 V/160 A) und »TK200F04N1L« (40 V/200 A) kommen im TO-220SM(W)-Gehäuse mit einer Kupferverbindung zum Chip, die einen niedrigeren elektrischen Widerstand als Standardbondverbindungen aufweist. Damit ergibt sich bei UGS = 10 V insgesamt ein Durchlasswiderstand von 0,78 mΩ (typ.) für TK200F04N1L und 2 mΩ (typ.) für TK160F10N1. Die neue Kupferverbindung hilft auch, den Wärmewiderstand Rth(ch-c) auf 0,4 K/W (max.) für beide Bausteine zu reduzieren. Die maximal mögliche Kanaltemperatur ist +175 °C.