PIN-Fotodiode von Vishay deckt UV bis IR ab
Vishay Intertechnology erweitert sein optoelektronisches Portfolio mit dem Baustein TEMD5080X01 um eine PIN-Fotodiode für den Spektralbereich von 350-1100 nm.
Vor allem die Anhebung der Detektivität um 300 Prozent für Wellenlängen von 400 nm verbessert die Einsatzmöglichkeiten des Detektors im Vergleich zu herkömmlichen PIN-Fotodioden in einer Reihe von Industrie- und Consumer-Anwendungen.
Der Baustein hat sein spektrales Maximum bei einer Wellenlänge von 940 nm und weist eine Anstiegszeit von nur 40 ns auf. Die photo-empfindliche Fläche beträgt 7,7 mm2, verbunden mit einem hohen Halbwerts-Öffnungswinkel von ±65°.
Dank seiner ausgedehnten spektralen Breite ist der Detektor für den Einsatz in vielseitigen Anwendungen wie Rauch- und Feuermelder, UV-Spektrometrie und Photometrie sowie Hautbehandlungs- oder Blutanalysegeräte geeignet. Der bleifreie Baustein ist auch nach dem Standard AEC-Q101 für den automobilen Einsatz qualifiziert und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse von 4,24 mm x 5,0 mm mit einer Bauhöhe von 1,12 mm untergebracht.
Das Bauteil unterstützt bleifreie Verarbeitung und Reflow-Lötung in Übereinstimmung mit RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC. Ferner erlaubt der TEMD5080X01 eine Verarbeitungszeit (floor life) von 72 Stunden gemäß J-STD-020. Muster des neuen Bausteins sind bereits lieferbar. Die Serienfertigung soll noch in diesem Quartal anlaufen. Die Lieferzeit für größere Stückzahlen gibt Vishay mit vier Wochen an.
