Iddq – Fehlersuche mit der Messung von Ruheströmen
Chip-Defekten auf der Spur
30. August 2006, 14:02 Uhr |
Dr.-Ing. Jan Schat
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Fortsetzung des Artikels von Teil 2
Leckströme bei schrumpfenden Strukturen
Mit dem Übergang auf kleinere Strukturen sperren die FETs nun nicht mehr vollständig. Der Ruhestrom steigt mit kleineren Strukturgrößen stark an, genauer: exponentiell mit dem Kehrwert der Kanallänge. Selbst die kleinen Variationen in der Kanallänge von Los (Batch) zu Los führen dazu, dass der Iddq bei verschiedenen Losen eines IC-Typs stark unterschiedlich ist – in 90-nm-Prozessen kann dies leicht der Faktor 100 sein.
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