Markt & Technik

Samsung Electronics

Massenproduktion der schnellsten DRAMs gestartet

Auf der HBM2-Schnittstelle basiert Samsungs 4-GByte-HBM2-DRAM, das mit 256 GByte/s die mehr als siebenfache Bandbreite von GDDR5-DRAM-Chips (36 GByte/s) erzielt. Für das bislang schnellste DRAM ist soeben die Massenfertigung angelaufen.

Windenergie auf See in Deutschland: Ausbauzahlen…

Nachholeffekte sorgen für Rekord bei Offshore-Windenergie

Offshore-Windenergieanlagen mit einer Leistung von 2282,4 Megawatt gingen 2015 neu ans…

AMA Verband für Sensorik und Messtechnik

Branchenverzeichnis 2015/2016 erschienen

Der AMA Verband für Sensorik und Messtechnik (AMA) hat die komplett überarbeitete und…

SFC Energy

Brennstoffzelle in Videoüberwachung integriert

Der französischen Systemintegrator 4G Technology wird 58 Brennstoffzellen des Typs EFOY…

Klima- und Wetterforschung

Neuer Hochleistungslaser könnte Wettervorhersage revolutionieren

Wetterprognosen und Klimasimulationen könnten künftig wesentlich genauer werden. Möglich…

Oliver Wyman-Studie

EVUs können mit Innovationen neue Kunden gewinnen

Produktinnovationen haben einen hohen Einfluss auf die Wechselbereitschaft der Kunden zu…

Studie der EEP/Uni Stuttgart

Höhere Investitionen in Energieeffizienz geplant

Produzierende Unternehmen in Deutschland wollen in den kommenden zwölf Monaten wieder mehr…

Alters- und finanzabhängig

Immobilienkäufer interessieren sich stärker fürs Smart Home

Käufer von Immobilien sind weitaus stärker an Smart Home-Technologien interessiert als…

Speicher für PV-Anlagen

Wechselrichter von SMA für Hochvolt-Batterien

Die SMA Solar Technology AG (SMA) bringt einen auf Hochvolt-Batterien abgestimmten…

LEDVANCE

Neuer Name für Osrams Lampengeschäft

Ein weiterer Schritt im Ausgliederungsprozess des Osram-Lampengeschäfts für die…