1200-V-Trenchstop-IGBT
Infineon Technologies hat ein neues 62-mm-Halbbrücken- und Common-Emitter-Modulportfolio, das 1200 V Trenchstop IGBT7-Chips nutzt, um eine 800-A-Maximalstromklasse erweitert. Dies bietet Systementwicklern ein hohes Maß an Flexibilität beim Design von Lösungen mit höherer Stromstärke bei gleichzeitig höherer Leistungsdichte und elektrischer Leistung. Basierend auf der neuen »Micro-Pattern-Trench-Technologie« weist die 62-mm-Modulamilie mit dem 1200 V Trenchstop IGBT7-Chip deutlich geringere statische Verluste auf, als die Module mit IGBT4-Chipsatz. Darüber hinaus weisen die neuen Leistungsmodule eine maximale Überlast-Sperrschichttemperatur von +175 °C auf.