Produkte des Jahres 2024 – Power

Cambridge GaN Devices

Einfach ansteuerbare GaN-Transistoren

»ICeGaN«-Transistoren der Serie H2 sind e-Mode-GaN-auf-Silizium-Leistungstransistoren, die sich die Materialeigenschaften von Galliumnitrid zunutze machen, um hohe Ströme, hohe Durchbruchspannungen und hohe Schaltfrequenzen für eine breite Palette von Elektronikanwendungen zu liefern. Die monolithisch inte­grierte ICeGaN-Gate-Technologie ermöglicht es, ICeGaN-Transistoren ähnlich wie Si-MOSFETs anzusteuern, wodurch komplizierte Ansteuerungsschaltungen überflüssig werden, und die heute verfügbaren Industrie-Gate-Treiber verwendet werden können.