Kennziffer 011: IGBT: Sperrschichttemperatur bis 175 °C. Die Gen8-IGBT-Familie mit 1200 V Sperrspannung ist die 8. Generation der Transistoren von International Rectifier. Die Gen8-IGBTs IRG8PxyN120KD im TO-247-Gehäuse für Ströme von 8 bis 60 A weisen eine typ. UCE(on) von 1,7 V und eine TSC von10 µs auf. Möglich wird dies durch ein neuartiges Design, welches die Verlustleistung reduziert und Leistungsdichte sowie Robustheit erhöht. Die max. Sperrschichttemperatur liegt bei 175 °C.