Halbleiter

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Advertorial: Würth Elektronik

Ein DC/DC-Power-Modul für viele Anwendungen

Moderne DC/DC-Power-Module müssen vielen Anforderungen zur gleichen Zeit gerecht werden.…

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und…

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren Anforderungen…

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer…

Photonischer IC für AI-Inference

Q.ANT reduziert Energie für KI-Aufgaben drastisch

Ab sofort können Interessenten die neue energieeffiziente Native Processing Unit von Q.ANT…

DELO-Konferenz

Advanced Packaging reduziert Energieaufnahme

Wie lassen sich Energie und Ressourcen durch neue Materialien und…

Für Mathematik/Physik

Neues KI-Modell von OpenAI für komplexe Aufgaben

Eine neue Software des ChatGPT-Erfinders OpenAI beherrscht komplexe Argumentationsketten.…

CoolSiC-MOSFETs 3300 V

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Infineon Technologies ist für die Entwicklung eines MOSFETs auf SiC-Basis für den…

Inova Semiconductors

Neuer Director of Sales and Business Development

Inova Semiconductors hat Vertriebsorganisation auf Grund des anhaltenden Wachstums des…