Taiyo Nippon Sanso
Kostengünstig GaN-Substrate herstellen
Heute werden GaN-Halbleiter auf einem Siliziumsubstrat aufgewachsen. Doch schon seit langem besteht der Wunsch, Galliumnitrid auch als Substrat zu verwenden. Nun hat Taiyo Nippon Sanso ein Epitaxieverfahren namens THVPE vorgestellt, mit dem sich…