ReRAM-IP
Weebits »ReRAM« (Resistive Random Access Memory) ist eine innovative NVM-Technologie (Non-Volatile Memory), die problemlos in jedes CMOS-IC integriert werden kann. Mit dieser Technologie werden die Speicher in Halbleitern schneller, kostengünstiger, zuverlässiger und energieeffizienter als Komponenten, in denen Flash- oder anderer NVM-Speicher zum Einsatz kommen. Weebit ReRAM zeichnet sich durch eine extrem niedrige Leistungsaufnahme und eine exzellente Endurance/Retention selbst bei hohen Temperaturen und unter extremen Bedingungen wie Strahlung und elektromagnetischen Feldern aus.
Um eine breite Palette von Embedded-SoC-Designs abzudecken, ist das ReRAM-IP hoch skalierbar und kundenspezifisch in Hinblick auf Speicherkapazität, Foundry und Prozessknoten anpassbar. Es wird als embedded Modul mit einem vollständigen Datensatz für eine reibungslose Integration geliefert. Auf Wunsch ist das Modul auch als Teil eines kompletten Subsystems erhältlich, das eine RISC-V-MCU, Systemschnittstellen, SRAM und Peripheriefunktionen umfasst. Die Weebit ReRAM-Technologie ist in Silizium erprobt, für die Integration in SoCs verfügbar und produktionsreif.