Cambridge GaN Devices und IFPEN partnern
Entwicklung von Wechselrichtern für die Automobilindustrie
Die französisches Forschungseinrichtun IFP Energies nouvelles (IFPEN) nutzt die GaN-HEMTs von Cambridge GaN Devices (CGD) für die Entwicklung eines Wechselrichters der nächsten Generation. Eine entsprechende Vereinbarung haben die beiden Entwicklungspartner unterzeichnet.