Rohm Semiconductor
Neue SiC-MOSFET-Generation mit hoher maximaler Sperrschichttemperatur
Die N-Kanal Leistungs-MOSFETs auf SiC-Basis sollen nicht nur für weniger Verlustleistung und hohe Geschwindigkeit sorgen, sondern auch eine Verringerung des Platz- und Bauteileaufwands ermöglichen.