Navitas تنتقل إلى PSMC
شركة TSMC تتخلى عن إنتاج رقائق نيتريد الغاليوم
أعلنت شركة TSMC عن عزمها إيقاف خدمات الصب لمكونات نيتريد الغاليوم (GaN) بشكل تدريجي خلال العامين المقبلين، وذلك نتيجة لتغيرات في توجهات السوق.
ورغم هذا الانسحاب الاستراتيجي، أكدت شركة TSMC أن القرار لن يؤثر على أهدافها المالية المعلنة سابقًا، حيث لا تزال تتوقع تحقيق نمو في المبيعات يتراوح بين 24% و26% بحلول عام 2025.
وفقًا لما نشرته anue، يتراوح حجم الإنتاج الشهري الحالي لشركة TSMC من رقائق نيتريد الغاليوم (GaN) بين 3000 إلى 4000 رقاقة. وتُعد شركتا Navitas Semiconductor وAncora Semi من أبرز عملاء TSMC في هذا المجال، حيث تستحوذ Navitas وحدها على أكثر من نصف حجم إنتاج GaN.
وبعد إعلان TSMC عن انسحابها التدريجي من هذا السوق، تعتزم Navitas نقل عمليات الإنتاج إلى شركة Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) التايوانية. وبدورها، ستقوم Powerchip بتصنيع محفظة منتجات GaN الخاصة بـ Navitas، بجهود تمتد إلى جهود تصنيعية بجهد اسمي يتراوح بين 100 فولت و650 فولت. يأتي هذا التحول في ضوء الطلب المتزايد على تقنيات GaN، لا سيما من مراكز البيانات فائقة الحجم المخصصة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي، إضافة إلى قطاع المركبات الكهربائية الذي يشهد نموًا متسارعًا.
من المتوقع أن يتم اعتماد أولى مكونات GaN المنتجة عبر Powerchip خلال الربع الأخير من هذا العام. ووفقًا للجدول الزمني، ستدخل سلسلة 100 فولت مرحلة الإنتاج في النصف الأول من العام المقبل، بينما يُخطط لانتقال منتجات 650 فولت تدريجيًا من TSMC إلى Powerchip خلال فترة تتراوح بين 12 إلى 24 شهرًا.
أما السبب الرئيسي لاعتماد Navitas شركة PSMC كمصنع بديل بدلاً من شركة VIS التابعة لـ TSMC، فيعود إلى اختلاف تقنيات التصنيع المستخدمة. إذ تعتمد كل من TSMC وPSMCعلى تقنيةGaN-on-Silicon (GaN-on-Si)، المعروفة ببساطتها وانخفاض تكلفتها، في حين تستخدم VIS تقنية GaN-on-QST، وهي تقنية أكثر تعقيدًا وتكلفة. وبحسب تقرير صادر عن TrendForce، فإن Navitas اختارت التعاون مع Powerchip نظرًا لإمكانية تحقيق تكامل سلس في العمليات، بالإضافة إلى كفاءة أكبر من حيث التكاليف التصنيعية، مما يعزز قدرتها التنافسية في ظل الطلب المتزايد على تقنيات GaN في قطاعات الذكاء الاصطناعي والتنقل الكهربائي.
حتى الآن، كانت شركة TSMC تقوم بتصنيع منتجات نيتريد الغاليوم (GaN) في مصنعها الخامس الواقع في هسينشو. ومع ذلك، من المقرر أن يتم تحويل استخدام هذا المصنع بدءًا من 1 يوليو 2025، ليُخصص بالكامل لعمليات التغليف المتقدم (Advanced Packaging). وبحسب تقرير TrendForce، يأتي هذا التوجه استجابةً للطلب المتزايد على تقنيات التغليف المتقدمة، لا سيما CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate)، وWafer-on-Wafer (WoW)، وWafer-Level System Integration (WLSI).
كما أشار محللون صناعيون نقلت عنهم صحيفة Commercial Times إلى أن أحد العوامل الحاسمة في قرار TSMC بالانسحاب من سوق GaN هو تصاعد الضغوط السعرية من المنافسين الصينيين. وفي ظل هذا الضغط، فضّلت الشركة عدم الانخراط في حرب أسعار قد تؤثر على هوامش الربح، خاصةً أن حجم إنتاج GaN لا يزال محدودًا، بينما تُعد ربحيته منخفضة نسبيًا مقارنة بقطاعات أخرى أكثر استراتيجية.
جاء قرار TSMC بالانسحاب من سوق GaN مفاجئًا للكثيرين، خاصةً في ضوء ما ورد في تقريرها السنوي الأخير، حيث أعلنت الشركة أنها طورت رقائق GaN من الجيل الثاني بقدرتي 100 فولت و650 فولت، وكان من المخطط أن تبدأ عمليات إنتاجها خلال العام الجاري. كما كشفت الشركة عن عملها على تطوير ترانزستور GaN بقياس 8 بوصات بقدرة 650 فولت وميزات محسّنة لنقل الإلكترونات، مع خطة لبدء الإنتاج في العام المقبل.
