Power Talk »Leistungshalbleiter « Teil 3: Quo vadis SiC?
Dass es in Zukunft SiC-Bauelemente mit Sperrspannungen unter 400 V geben könnte, halten die Diskussionsteilnehmer für mehr als unwahrscheinlich. Eher setzen Sie durchaus auf diskrete Bausteine mit Sperrspannungen jenseits der 1200 V. SiC in Form von JFETs als Sicherungen, SiC als Kältekacheln, die Einsatzmöglichkeiten dieses Materials scheinen bei weitem noch nicht ausgeschöpft, auch wenn die Diskussionsteilnehmer für die Zukunft hauptsächlich von SiC-MOSFETs ausgehen. Das man mit SiC auch bidirektionale Bausteine realisieren kann, hat vor kurzem Infineon Technologies gezeigt, wie groß die Marktchancen eines solchen Produkts sind, lässt sich nach Ansicht der Diskussionsteilnehmer nur schwer beurteilen. Markt&Technik-Chefreporter Engelbert Hopf sprach Ende Juli 2026 mit Thomas Grasshoff, Head of Strategy bei Semikron Danfoss, Thomas Hauer, Technology Specialist Manager Power bei Avnet Silica, Paul Klausner, Senior Principal Automotive Marketing bei onsemi und Marcus Lippert, Business Development Manager bei StarPower Europe über aktuelle Entwicklungen und Trends in der weltweiten Leistungshalbleiter-Branche.