800-V und SiC, bidirektionales 650-V-GaN und SuperQ-Technologie?
Power Talk | Leistungshalbleiter Teil 3: Markt&Technik-Chefreporter Engelbert Hopf sprach Anfang September 2025 mit Ole Gerkensmeyer, Vice President EMEA Sales bei Nexperia, Florian Freund, Director Engineering Central Europe bei Arrow Electronics, Thomas Grasshoff, Head of Strategy bei Semikron Danfoss und Dr. Stefan Hain, Senior Director, Power Electronic Systems bei onsemi über aktuelle Entwicklungen und Trends in der weltweiten Leistungshalbleiter-Branche. Ob die zukünftigen 800-V-Strukturen in Datencentern mit 400 oder 1200 V SiC-MOSFETs adressiert werden, oder anderen Bauteilen, wird die Zukunft zeigen. Auf jeden Fall sind sich die Diskussionsteilnehmer sicher, dass DC-Netze in von der kommenden Datencenter-Struktur und den dort benötigten Leistungsdichten profitieren werden. Großes Interesse sieht man auf Seiten der Distribution an den bidirektionalen 650-V-GaN-Leistungshalbleitern. Wie schnell sich daraus Applikationen im Bereich der Industrieelektronik ergeben werden, wird sich zeigen. Der SuperQ-Technologie gestehen die Diskussionsteilnehmer aus halbleiterphysikalischer Sicht ein großes Potenzial zu, da diese Technologie nicht nur auf Silizium beschränkt ist, sondern als nächstes durchaus auch in SiC-Leistungshalbleitern zum Einsatz kommen könnte.